IT之家 4 月 2 日讯歇，据湖北九峰山试验室消休，行动半导体修立不行或缺的资料，光刻胶质地和功能是作用集成电路电性、成品率及靠得住性的症结成分。但光刻胶技艺门槛高，市集上制程褂讪性高、工艺留情度大、普适性强的光刻胶产品凤毛麟角。当半导体兴办节点投入到 100 nm 甚至是 10 nm 以下，若何产生辨认率高且截面描摹卓异、线地方粗糙度低的光刻图形，成为光刻兴办的共性困难。

　　针对上述瓶颈标题，九峰山实践室、华中科技大学组成连合磋商团队，支柱华中科技大学团队冲突“双非离子型光酸连关巩固反映的化学放大光刻胶”本事。

　　该研究进程奇特的化学结构着想，以两种光敏单元构筑“双非离子型光酸拉拢巩固相应的化学浮夸光刻胶”，结尾得到光刻图像形貌与线周遭大意度良好、space 图案宽度值正态传布准绳差（SD）极小（约为 0.05）、功能优于大多数商用光刻胶。且光刻显影各步伐所需时间统统符关半导体量产制造中对含糊量和生产效率的需要。

　　该联系效能有望为光刻筑造的共性清贫供应明白的倾向，同时为 EUV 光刻胶的出力制造做技能积贮。

　　该项目由国家自然科学基金、973 希图笼络赞成，苛重作者为华中科技大学光电国家筹议核心朱明强教育，湖北九峰山测验室工艺核心柳俊教学和向诗力博士。

　　仰赖九峰山测验室工艺平台，上述具有自立学问产权的光刻胶体例在产线上完全了起首工艺验证，并同步竣工了各项身手指目的检测优化，杀青了从武艺筑筑到成就曲折的全链条打通。