4月2日，记者从华中科技大学获悉，该校与湖北九峰山试验室组成撮合接头团队，打垮“双非离子型光酸联合加紧响应的化学浮夸光刻胶”技能。相干收成日前发布在《化学工程杂志》上。

　　据介绍，这一具有自决学问产权的光刻胶体制已在生产线上完竣了动手工艺验证，并同步竣工了各项工夫指宗旨检测优化，完成了从技能拓荒到成就改观全链条打通。

　　光刻胶是半导体创筑不成或缺的资料，其质地和本能是效率集成电叙电性、成品率及可靠性的要讲身分。但光刻胶技能门槛高，墟市上制程坚韧性高、工艺缓和度大、普适性强的光刻胶产品屈指可数。

　　当发现节点投入到100纳米甚至是10纳米以下，如何爆发区别率高且截面表情良好、线边缘毛糙度低的光刻图形，成为光刻成立的共性贫乏。

　　该商榷经历奇妙的化学构造策动，以两种光敏单元构筑“双非离子型光酸合股加强回声的化学妄诞光刻胶”，最终得到光刻图像格式与线周围粗陋度杰出、space图案宽度值正态散布表率差（SD）极小（约为0.05）、机能优于大多数商用光刻胶，且光刻显影各程序所需时刻完全符合量产创办中对模糊量和临蓐影响的需求。

　　据悉，该接头得益有望为光刻发明的共性艰难供给知谈的主意，同时为极紫外线光刻机光刻胶的着力开辟做技巧储藏。